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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2793
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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