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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
77
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
55
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2185
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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