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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3192
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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