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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2898
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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