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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
14.9
17.1
写入速度,GB/s
9.6
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2898
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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