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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3783
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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