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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 43
    En -5% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2058

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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Memoria RAM
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