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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
9.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
43
周辺 -5% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
41
読み出し速度、GB/s
14.9
11.7
書き込み速度、GB/秒
9.6
9.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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