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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
43
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3324
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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