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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
43
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2939
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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