RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
46
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2973
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link