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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
14.9
20.6
写入速度,GB/s
9.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2973
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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