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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2628
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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