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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
14.9
15.5
写入速度,GB/s
9.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2628
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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