RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2888
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link