RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2975
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link