Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Puntuación global
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 39
    En 36% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
    En 1.13% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3419 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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