RAM-Vergleich Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Gesamtnote

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 39

Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.4 7.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3419 1768

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns