Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 39
    Около 36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR5 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 7.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.1 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3419 left arrow 1768
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения