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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
13.4
7.7
写入速度,GB/s
12.1
6.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
1768
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Mushkin 991586 2GB
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