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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 39
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 1768

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