Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

総合得点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 39

周辺 36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.4 7.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.1 6.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR5 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 39
読み出し速度、GB/s

13.4 7.7
書き込み速度、GB/秒

12.1 6.8
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3419 1768

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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