RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 104
    周辺 -167% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 1768

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
メモリRAM