Comparação RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Pontuação geral

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

39 104

Por volta de -167% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

7.7 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.8 2,404.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

786 1768

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns