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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
104
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1768
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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