Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    39 left arrow 104
    Intorno -167% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    7.7 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.8 left arrow 2,404.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    104 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,192.0 left arrow 7.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,404.5 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    786 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti