Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Note globale
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Note globale
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 39
    Autour de 36% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.4 left arrow 7.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.1 left arrow 6.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 17000
    Autour de 1.13% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 39
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.4 left arrow 7.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.1 left arrow 6.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3419 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons