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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.1
17.0
写入速度,GB/s
4.7
14.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3465
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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