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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
16.0
10.6
写入速度,GB/s
10.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2503
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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