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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
3,325.1
17.2
写入速度,GB/s
1,441.2
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3299
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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