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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
16.8
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3046
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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