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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
52
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3122
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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