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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
9.7
14.8
写入速度,GB/s
7.2
11.4
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3122
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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