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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

总分
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

总分
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 58
    左右 -53% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    8.2 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1718 left arrow 2324

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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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