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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3609
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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