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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
47
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2867
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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