RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2867
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link