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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3990
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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