RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
48
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
48
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3047
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link