Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 48
    En 10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.8 left arrow 14.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.7 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 16.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 15.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 3047
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones