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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3208
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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