RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link