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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2417
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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