RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2417
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link