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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2708
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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