RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2708
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link