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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
1778
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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