RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1778
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link