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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3228
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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