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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
87
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3238
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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