RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
87
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3238
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link