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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de -24% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
36
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
12800
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2315
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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