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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2315
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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